一种镍硅化物的制作方法,将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺,通过在栅极外侧增加di二侧墙,并采用Pt含量相对低的NiPt进行di一次退火,以及去除di二侧墙,并采用Pt含量相对高的NiPt进行di二次退火,使得有源区上硅化物中的Pt分布更接近沟道,且其浓度在水平方向上具有渐变趋势。
靠近沟道区域的硅化物中的Pt含量相对较高,使此区域硅化物更加稳定,可改善因piping defect(金属硅化物的管状钻出缺陷)而造成的漏电流;而远离沟道的硅化物中的Pt浓度相对较低,从而降低了此区域硅化物的电阻。